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［ 作者：佚名    点击数：1785    日期：2012年6月11日 ］

单晶制备方法	CZ
导电类型	P
掺杂剂	Boron(B)
晶向	<100>
晶向偏离度	<±3°
电阻率范围（ρ）	0.5-2Ω·cm或3-6Ω·cm
少数截流子寿命(τd)	>10µS
氧含量(OI)	≤1.0*1018/cm3
碳含量©	≤5.0*1016/cm3
位错密度（Nd）	≤3000/cm2
硅片尺寸	156*156±0.5mm
硅片直径	203mm±0.5
厚度	其他
总厚度变化	<50µm